Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
Аннотация
Об авторах
В. Б. ОджаевБеларусь
А. Н. Петлицкий
Беларусь
В. С. Просолович
Беларусь
А. С. Турцевич
Беларусь
С. В. Шведов
Беларусь
В. А. Филипеня
Беларусь
В. В. Черный
Беларусь
В. Ю. Явид
Беларусь
Ю. Н. Янковский
Беларусь
В. А. Дубровский
Беларусь
Список литературы
1. Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии / Под ред. А. С. Турцевича. В 3 т. Мн., 2013. С. 302-504.
2. Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. М., 2008. С. 239-294.
3. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М., 1986. С. 20-39.
4. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов (перевод с английского) в двух частях. М., 1984. С. 5-90.
5. Денисенко В. В. // Компоненты и технологии. 2009. № 12. С. 35-48.
6. Бочаров Л. Н. Полевые транзисторы. М., 1984 С. 42-59.
7. Зи С. М. Технология СБИС. В 2 кн. М., 1986. С. 120-127.
8. SEMI M33-0988
9. Berneike W., Knoth J., Schwenke H., Weisbrod U.// Fresnius Z. Anal. Chem. 1989. Vol. 333. P. 524-526.