Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук

Расширенный поиск

Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора

Аннотация

Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.

Об авторах

В. Б. Оджаев
Белорусский государственный университет
Беларусь


А. Н. Петлицкий
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь


В. С. Просолович
Белорусский государственный университет
Беларусь


А. С. Турцевич
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь


С. В. Шведов
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь


В. А. Филипеня
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь


В. В. Черный
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


В. Ю. Явид
Белорусский государственный университет
Беларусь


Ю. Н. Янковский
Белорусский государственный университет
Беларусь


В. А. Дубровский
Белорусский государственный университет
Беларусь


Список литературы

1. Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии / Под ред. А. С. Турцевича. В 3 т. Мн., 2013. С. 302-504.

2. Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. М., 2008. С. 239-294.

3. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М., 1986. С. 20-39.

4. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов (перевод с английского) в двух частях. М., 1984. С. 5-90.

5. Денисенко В. В. // Компоненты и технологии. 2009. № 12. С. 35-48.

6. Бочаров Л. Н. Полевые транзисторы. М., 1984 С. 42-59.

7. Зи С. М. Технология СБИС. В 2 кн. М., 1986. С. 120-127.

8. SEMI M33-0988

9. Berneike W., Knoth J., Schwenke H., Weisbrod U.// Fresnius Z. Anal. Chem. 1989. Vol. 333. P. 524-526.


Рецензия

Просмотров: 620


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8358 (Print)
ISSN 2524-244X (Online)