vestiftИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series1561-83582524-244XThe Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestift-16Research ArticleРАДИОЭЛЕКТРОНИКА И ПРИБОРОСТРОЕНИЕRADIOELECTRONICS AND INSTRUMENT-MAKINGФормирование и перспективы применения пленочных структур с использованием анодирования, золь-гель-синтеза и фотолитографииFormation and prospects of application of film structures with anodizing, sol-gel synthesis and photolithographyГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20142806201601108111Copyright © Гапоненко Н.В., 20162016Гапоненко Н.В.Gaponenko N.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/16

Представлены результаты изготовления планарных структур на основе ксерогелей, сформированных на пористом анодном оксиде алюминия различной морфологии, с применением фотолитографии без металлической маски. Методом растровой электронной микроскопии исследовалась морфология структур ксерогель оксида титана/пористый анодный оксид алюминия, отличающихся размером пор анодного оксида алюминия, после фотолитографии и химического травления. Установлено, что более четкие стенки микроцилиндров и микродисков формируются при использовании пористого анодного оксида алюминия с размером пор менее 50 нм, что обусловлено заполнением пор ксерогелем оксида титана. Изготовлены экспериментальные образцы микроцилиндров на основе пористого анодного оксида алюминия толщиной от 30 до 50 мкм и размером пор 20-25 нм с применением анодирования, золь-гель-метода формирования пленок и фотолитографии.

The results of fabrication of planar structures on the basis of xerogels, generated on porous anodic alumina of diverse morphology, with the use of photolithography without metal mask are presented. Scanning electron microscopy revealed formation of relatively perfect walls of the structures for porous anodic alumina with size of the pores less then 50 nm. The perspectives of application of the structures xerogel/porous anodic alumina in optoelectronics are discussed.

ReferencesGaponenko N. V. // Acta Physica Polonica. 2007 N 112.P. 737-749.Gaponenko N. V. // Acta Physica Polonica. 2007 N 112.P. 737-749.Masuda H. et al. // Appl. Phys. Lett 1997 Vol.71, N 19. P 2770-2772.Masuda H. et al. // Appl. Phys. Lett 1997 Vol.71, N 19. P 2770-2772.Желтиков А. М // Успехи физических наук. 2000. Т. 170, N 11.С. 1203-1215.Желтиков А. М // Успехи физических наук. 2000. Т. 170, N 11.С. 1203-1215.Гапоненко Н. В., Ореховская Т. И., Меледина М. В. и др. Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности: Пат. РБ 15052.Гапоненко Н. В., Ореховская Т. И., Меледина М. В. и др. Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности: Пат. РБ 15052.Yang L., Armani D. K., Vahala K. J. // Appl. phys. lett. 2003. Vol. 83, N 5. P 825-826.Yang L., Armani D. K., Vahala K. J. // Appl. phys. lett. 2003. Vol. 83, N 5. P 825-826.Polman A. // J. Appl. Phys. 1997 Vol. 82, N 1. P 1-38.Polman A. // J. Appl. Phys. 1997 Vol. 82, N 1. P 1-38.Gaponenko N. V. et al. // Microelectron. Eng. 2012. Vol. 90. P 131-137Gaponenko N. V. et al. // Microelectron. Eng. 2012. Vol. 90. P 131-137Gaponenko N. V. et al. // J Appl. Phys. 2012. Vol. 111.P. 103-109.Gaponenko N. V. et al. // J Appl. Phys. 2012. Vol. 111.P. 103-109.Сокол В. А. Анодные оксиды алюминия: монография. Мн. , 2011.Сокол В. А. Анодные оксиды алюминия: монография. Мн. , 2011.Gaponenko N. V. et al. // Sens. Actuators A. 2002. Vol. 99. P 71-73Gaponenko N. V. et al. // Sens. Actuators A. 2002. Vol. 99. P 71-73Gaponenko N. V. et al. // J Electrochem. Soc. 2001. Vol. 148, N 2. P H13-H16Gaponenko N. V. et al. // J Electrochem. Soc. 2001. Vol. 148, N 2. P H13-H16Molchan I. S. et al. // J Electrochem. Soc. 2004. Vol. 151, N 1.P. H16-H20Molchan I. S. et al. // J Electrochem. Soc. 2004. Vol. 151, N 1.P. H16-H20

The authors declare that there are no conflicts of interest present.