vestiftИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series1561-83582524-244XThe Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestift-244Research ArticleРАДИОЭЛЕКТРОНИКА И ПРИБОРОСТРОЕНИЕRADIOELECTRONICS AND INSTRUMENT-MAKINGМОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР В СЛОЯХ ВАКУУМНОГО РЕЗИСТАSIMULATION OF FORMATION OF TOPOLOGICAL STRUCTURES IN VACUUM RESIST LAYERSОбуховВ. Е.ObukhovV. E.obukhov@tut.byШпакЕ. П.ShpakE. P.ket27051973@gmail.comЖвавыйС. П.ZhvavyiS. P.zhvavyi@inel.bas-net.byАзаркоВ. А.AzarkoV. A.mixa@ichnm.basnet.byФизико-технический институт НАН БеларусиPhysical Technical Institute of the National Academy of Sciences of BelarusИнститут физики им. Б. И. Степанова НАН БеларусиB. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of BelarusИнститут химии новых материалов НАН БеларусиThe Institute of Chemistry of New Materials of the National Academy of Sciences of Belarus2016040820160299107Copyright © Обухов В.Е., Шпак Е.П., Жвавый С.П., Азарко В.А., 20162016Обухов В.Е., Шпак Е.П., Жвавый С.П., Азарко В.А.Obukhov V.E., Shpak E.P., Zhvavyi S.P., Azarko V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/244

Изучены методом моделирования процессы формирования топологичеких структур с 3D-элементами различных размеров и конфигурации в слоях вакуумного резиста импульсным лазерным излучением с разной плотностью энергии. Экспериментально установлено, что моделирование позволяет прогнозировать реальные параметры работы установок лазерной вакуумной микролитографии для качественного формирования 3D-элементов топологии в слоях вакуумного резиста при создании масок.

 

The modeling of formation of topological structures with 3D elements of various sizes and configurations in а vacuum resist exposed to pulsed laser radiation with different energy density was carried out. It was found experimentally that the simulation allows predicting the actual parameters of lithography laser systems for high-quality formation of 3D topology elements in layers of vacuum resist when creating masks.

 

микролитографиявакуумная проекционная литографиявакуумный резисттехнологии ИМСmicrolithographyvacuum resistvacuum projection lithographymicroelectronic circuit technologyReferencesGreen technological process of dry laser vacuum microlithography and equipment claster for its realisation in ASIC manufacturing / V. E. Obukhov [et al.] // Proc. of the Joint Intern. Congress «Electronics Goes Green 2004 +». – Германия - Берлин, 2004. - P. 803-806.Green technological process of dry laser vacuum microlithography and equipment claster for its realisation in ASIC manufacturing / V. E. Obukhov [et al.] // Proc. of the Joint Intern. Congress «Electronics Goes Green 2004 +». – Германия - Берлин, 2004. - P. 803-806.A Submodule For The Laser Vacuum Projection Lithography / V. A. Azarko [et al.] // Proc. SPIE. - 1994. - Vol. 2336. - Р. 227-232.A Submodule For The Laser Vacuum Projection Lithography / V. A. Azarko [et al.] // Proc. SPIE. - 1994. - Vol. 2336. - Р. 227-232.Iterative methods in semiconductor device simulation / C. S. Rafferty [et al.] // IEEE Trans. Elec. Dev. - 1985. - Vol. ED-32, N 10. - Р. 2018-2027.Iterative methods in semiconductor device simulation / C. S. Rafferty [et al.] // IEEE Trans. Elec. Dev. - 1985. - Vol. ED-32, N 10. - Р. 2018-2027.Dutton, R. W. Modeling and simulation for VLS / R. W. Dutton // Intern. Electron Devices Meeting. Technical Digest. - 1986. - Р. 2-7.Dutton, R. W. Modeling and simulation for VLS / R. W. Dutton // Intern. Electron Devices Meeting. Technical Digest. - 1986. - Р. 2-7.Dutton, R. W. Perspectives on technology and technology-driven CAD / R. W. Dutton, A. J. Strojwas // IEEE Trans. CAD-ICAS. - 2000. - Vol. 19, N 12. - P. 1544-1560.Dutton, R. W. Perspectives on technology and technology-driven CAD / R. W. Dutton, A. J. Strojwas // IEEE Trans. CAD-ICAS. - 2000. - Vol. 19, N 12. - P. 1544-1560.Lithographic Properties of Perylenetetracarboxylic Acid Derivatives Films / V. A. Azarko [et al.] // Proc. SPIE. - 1996. - Vol. 3179. - Р. 99 - 102.Lithographic Properties of Perylenetetracarboxylic Acid Derivatives Films / V. A. Azarko [et al.] // Proc. SPIE. - 1996. - Vol. 3179. - Р. 99 - 102.Dry pattering of resistive masks and topological structures / V. V. Boksha [et al.] // Proc. SPIE. - 1993. - Vol. 2091. - P. 101-111.Dry pattering of resistive masks and topological structures / V. V. Boksha [et al.] // Proc. SPIE. - 1993. - Vol. 2091. - P. 101-111.Лазерная обработка электрохромных пленок WO3 в полосе собственного поглощения / Б. А. Будкевич [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 1988. - № 1. - С. 39-43.Лазерная обработка электрохромных пленок WO3 в полосе собственного поглощения / Б. А. Будкевич [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 1988. - № 1. - С. 39-43.Любов, Б. Я. Развитие тепловой модели поверхностного испарения металлов под действием концентрированных потоков энергии / Б. Я. Любов, Э. Н. Соболь // Физика и химия обработки материалов. - 1979. - № 6. - С. 12 - 19.Любов, Б. Я. Развитие тепловой модели поверхностного испарения металлов под действием концентрированных потоков энергии / Б. Я. Любов, Э. Н. Соболь // Физика и химия обработки материалов. - 1979. - № 6. - С. 12 - 19.Углов, А. А. Расчет абляции пластины конечной толщины / А. А. Углов, И. Ю. Смуров, Ю. Н. Лохов // Физика и химия обработки материалов. – 1982. – № 1. – С. 3-7.Углов, А. А. Расчет абляции пластины конечной толщины / А. А. Углов, И. Ю. Смуров, Ю. Н. Лохов // Физика и химия обработки материалов. – 1982. – № 1. – С. 3-7.Самарский, А. А. Экономичная схема сквозного счета для многомерной задачи Стефана/ А. А. Самарский, Б. Д. Моисеенко // Журнал вычислительной математики и математической физики. – 1965. – Т. 5, № 5. – С. 816 – 827.Самарский, А. А. Экономичная схема сквозного счета для многомерной задачи Стефана/ А. А. Самарский, Б. Д. Моисеенко // Журнал вычислительной математики и математической физики. – 1965. – Т. 5, № 5. – С. 816 – 827.Годунов, С. К. Разностные схемы / С. К. Годунов , В. С. Рябенький. – М.: Наука, 1973. – 400 с.Годунов, С. К. Разностные схемы / С. К. Годунов , В. С. Рябенький. – М.: Наука, 1973. – 400 с.Обухов, В. Е. Моделирование процессов абляции пленок органических материалов под воздействием импульсного лазерного излучения / В. Е. Обухов, Е. П. Шпак, С. П. Жвавый // Сб. матер. IV МНТК «Современные методы и технологии создания и обработки материалов». – Беларусь - Минск, 2009. - Т. 2. - С. 183-188.Обухов, В. Е. Моделирование процессов абляции пленок органических материалов под воздействием импульсного лазерного излучения / В. Е. Обухов, Е. П. Шпак, С. П. Жвавый // Сб. матер. IV МНТК «Современные методы и технологии создания и обработки материалов». – Беларусь - Минск, 2009. - Т. 2. - С. 183-188.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.