<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">vestift</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1561-8358</issn><issn pub-type="epub">2524-244X</issn><publisher><publisher-name>The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">vestift-303</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ, МЕТАЛЛУРГИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MATERIALS SCIENCES AND ENGINEERING, METALLURGY</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ОЦЕНКИ ФОРМИРОВАНИЯ ИОННО-ЛУЧЕВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНО- СТРУКТУРНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ХРОМА</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>APPLICATION OF TEM FOR EVALUATION OF FORMATION OF ION BEAM MULTILAYER NANOSTRUCTURED COATINGS BASED ON CHROMIUM</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ильющенко</surname><given-names>А. Ф.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ilyushchenko</surname><given-names>A. Ph.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси, доктор технических наук, профессор, директор</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Corresponding Member of the National Academy of Sciences of Belarus, D. Sc. (Engineering), Professor, Director</p></bio><email xlink:type="simple">Alexil@mail.belpak.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Андреев</surname><given-names>М. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Andreev</surname><given-names>M. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат физико- математических наук, директор</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Ph. D. (Physics and Mathematics), Director</p></bio><email xlink:type="simple">andreyev.mikhail@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Маркова</surname><given-names>Л. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Markova</surname><given-names>L. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат технических наук, заведующая отделением № 4 (начальник Испытательного центра)</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Ph. D. (Engineering), Head of Division “Material Research &amp; Testing” (Chief of accredited Test Center)</p></bio><email xlink:type="simple">iscentr@tut.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Лисовская</surname><given-names>Ю. О.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Lisovskaya</surname><given-names>Y. O.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>заведующая группой химико-спектрального анализа</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Head of the group of chemical and spectral analysis</p></bio><email xlink:type="simple">lisovskayauliya@hotmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт порошковой металлургии Национальной академии наук Беларуси</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Powder Metallurgy Institute of the National Academy of Sciences of Belarus</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Обособленное хозрасчетное структурное подразделение «Институт сварки и защитных покрытий» Национальной академии наук Беларуси</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Institute of Welding and Protective Coatings of the National Academy of Sciences of Belarus</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>08</day><month>08</month><year>2017</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>7</fpage><lpage>14</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Ильющенко А.Ф., Андреев М.А., Маркова Л.В., Лисовская Ю.О., 2017</copyright-statement><copyright-year>2017</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Ильющенко А.Ф., Андреев М.А., Маркова Л.В., Лисовская Ю.О.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Ilyushchenko A.P., Andreev M.A., Markova L.V., Lisovskaya Y.O.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/303">https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/303</self-uri><abstract><p>Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии методом просвечивающей электронной микроскопии, а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки. Для исследования механизма формирования и роста монослоя в покрытии была разработана методика препарирования образцов для их последующего изучения с использованием электронного микроскопа Tescan MIRA (Чехия), позволяющего получить изображения поверхности исследуемого объекта с высоким разрешением, особенно при низких ускоряющих напряжениях. Для исследования тонких пленок метод просвечивающей электронной микроскопии используется гораздо чаще, чем сканирующей, поэтому разработана приставка, позволяющая получать изображения в проходящих электронах – TE-детектор для исследования методом сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM – Scanning Transmission Electron Microscopy). При изучении монослоев методом просвечивающей электронной микроскопии с использованием TE-детектора предложен механизм формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии, состоящий из следующих этапов: адсорбция частиц хрома на поверхности подложки; поверхностная диффузия к ступени винтовой дислокации; 2D-рост монослоя хрома (формирование 2D-террас) из 2D-островков; 2D→3D-переход – переход в режим роста трехмерных островков (3D-рост) по механизму Странского – Крастанова. Разработана модель формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки. </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The aim of the work is to study a mechanism of formation of a monolayer in a multilayered ion beam nanostructured coating by transmission electron microscopy (TEM), and a model of formation and growth of a monolayer by ion beam sputtering of target substrate with an ion assisting. To investigate the mechanism of formation and growth of monolayer in the coating a technique of sample preparation was developed for further study using electron microscopy Tescan MIRA (Czech Republic), allowing to obtain image surface of an object with high resolution, especially at low accelerating voltages. For the study of thin films, transmission electron microscopy is used much more frequently than scanning, so a console has been designed that allows to obtain images in the passing electrons – TE detector for study by scanning transmission electron microscopy (STEM – Scanning Transmission Electron Microscopy). During study of monolayers by transmission electron microscopy using a TE detector, a mechanism of the formation of monolayer in multilayer ion-beam nanostructured coating has been proposed, consisting of the following steps: the adsorption of chromium particles on the substrate surface; surface diffusion to the stage of a screw dislocation; 2D-growth of chromium monolayer (2D-formation terraces) of 2D-islands; 2D→3D transition – the transition to three-dimensional island growth mode (3D-growth) by the mechanism of Stransky – Krastanow. The model of formation and growth of monolayer under ion-beam sputtering of a target with ion-assisted substrate has been developed.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>многослойное наноструктурное покрытие</kwd><kwd>ионно-лучевое покрытие</kwd><kwd>механизм Странского – Крастанова</kwd><kwd>когерентный островок</kwd><kwd>метод сканирующей просвечивающей электронной микроскопии</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>multilayer nanostructured coating</kwd><kwd>ion beam coating</kwd><kwd>mechanism of Stransky – Krastanow</kwd><kwd>a coherent island</kwd><kwd>scanning transmission electron microscopy method</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лобанов, Д. Н. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноостровков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии : электр. метод. пособие [Электронный ресурс] / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев. – Режим доступа: http://www.pnn.unn.ru/User Files/manuals/GeSi.pdf – Н. Новгород: ННГУ, 2010.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lobanov D. N., Novikov A .V., Shaleev M. V. The growth of Ge(Si) self-assembled nanoislands on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod State University named after N. I. Lobachevsky, 2010. – Avai- lable at: http://www.pnn.unn.ru/UserFiles/manuals/GeSi.pdf (in Russian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Борисенко, В. Е. Наноэлектроника : в 3 ч. / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева. – Минск: БГУИР, 2003. – Ч. 2: Нанотехнология. – 76 с.: ил.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Borisenko V. E., Vorob’eva A. I. Nanoelectronics. Part 2: Nanotechnology. Minsk, Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 2003. 76 p. (in Russian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">In situ growth of nano-structures by metal-organic vapour phase epitaxy / W. Seifer [et al.] // J. Crystal Growth. – 1997. – Vol. 170, N 1–4. – P. 39–46.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Seifer W., Carlsson N., Johansson J., Pistol M.-E., Samuelson L. In situ growth of nano-structures by metal-organic vapour phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 1997, vol. 170, no. 1–4, pp. 39–46. Doi: 10.1016/s0022-0248(96)00518-0</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пичугин, В. Ф. Материаловедение поверхности и тонких пленок / В. Ф. Пичугин. - Томск: Изд-во ТПУ, 2008. – 173 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Pichugin V. F. Material science of surfaces and thin ﬁlms. Tomsk, Publishing house of the Tomsk Polytechnic University, 2008. 173 p. (in Russian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Baskaran, A. Mechanisms of Stranski–Krastanov growth / А. Baskaran, P. Smereka // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 111, N 4. – P. 044321-1 – 044321-6.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Baskaran A., Smereka P. Mechanisms of Stranski–Krastanov growth. Journal of Applied Physics. 2012, vol. 111, no. 4, pp. 044321-1 – 044321-6. Doi: 10.1063/1.3679068</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">On the properties of PVD coating based on nanodiamond and molybdenum disulﬁde nanolayers and its efﬁciency when drilling of aluminum alloy / A. Ilyuschenko [et al.] // Surface &amp; Coatings Technology. – 2015. – Vol. 270. – P. 190–196.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ilyuschenko A., Feldshtein E., Lisovskaya Y., Markova L., Andreyev M., Lewandowski A. On the properties of PVD coating based on nanodiamond and molybdenum disulﬁde nanolayers and its efﬁciency when drilling of aluminum alloy. Surface &amp; Coatings Technology, 2015, vol. 270, pp. 190–196. Doi: 10.1016/j.surfcoat.2015.03.004</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Многослойные наноструктурные покрытии, сформированные методом ионно-лучевого распыления в вакууме / А. Ф. Ильющенко [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2013. – № 2. – С. 10–21.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ilyuschenko A. F., Andreyev M. А., Markova L. V., Lisovskaya Y. О. Multilayered nanostructured coverings generated by a method of ion beam sputtering in vacuum. Vestsi Natsyyanal’nai akademii navuk Belarusi. Seryya ﬁzika-technichnych navuk [Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series], 2013, no 2, pp. 10–21 (in Russian).</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
