Показаны возможности увеличения скорости резания при одновременном повышении точности координатных перемещений и снижения динамических нагрузок в начальный, наиболее опасный с позиции возникновения сколов и поломок, момент взаимодействия алмазного круга толщиной 15–120 мкм с полупроводниковой пластиной толщиной 250–500 мкм и диаметром 50–250 мм при ее разделении на кристаллы. При резании стол с полупроводниковой пластиной совершает возвратно-поступательные координатные циклические перемещения. В процессе его разгона до рабочей скорости подачи возникают механические колебания в направлении движения, имеющие частоту собственных колебаний. Эти колебания могут приводить к отклонению стола от заданной координаты и возникновению существенно отличных от прогнозируемых величин ускорений при достижении рабочей скорости подачи и последующем контакте пластины с алмазным кругом. Это может быть учтено при реализации технологического цикла, и в ряде случаев колебаниями можно программно управлять путем выбора рационального соотношения величин рабочего хода, длины холостого хода и частоты собственных колебаний, что позволяет уменьшить или исключить сколы и поломки полупроводниковой пластины и алмазного круга, уменьшить их толщины и повысить в 1,5–2 раза скорость обработки. Показаны возможности создания комбинированной системы приводов, использование которой позволяет исключить возникновение механических колебаний.