Выполнено приборно-технологическое моделирование кремниевого p–n+-перехода как в прямо- угольной (декартовой), так и в цилиндрической системах координат. В данной полупроводниковой структуре р-область является базой, а n+-область выполняет функцию эмиттера в биполярном транзисторе n–p–n-типа. Структура исследованного перехода получена в соответствии с технологическим процессом его изготовления, разработанным с помощью двухмерного моделирования с применением программы TSuprem4, входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Технологическое моделирование позволило определить конструктивно-технологические параметры исследуемой структуры p–n+-перехода, что дало возможность провести ее приборное проектирование в цилиндрической и в декартовой системах координат с применением программы Medici, которая также входит в состав комплекса программ фирмы Synopsys. С помощью Medici рассчитаны прямые и обратные ветви вольт-амперной характеристики p–n+-перехода для случаев моделирования в указанных типах систем координат и, соответственно, определен ряд электрофизических параметров структуры перехода. Путем сравнения данных, полученных методом приборно-технологического моделирования, установлено, что рассматриваемая структура может рассчитываться в обоих типах систем координат с высокой степенью точности, так как разброс конструктивно-технологических параметров, определенных при технологическом моделировании для разных систем координат, составил 2,6–7,4 %, а разброс электрофизических параметров, вычисленных в процессе приборного моделирования, – 0,09– 8,64 %. Результаты исследования были применены при проектировании новых изделий электронной техники, в основе которых лежит один и более p–n-переходов, при разработке и оптимизации технологических маршрутов их изготовления.