Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук

Пашыраны пошук

Формирование монокристаллических наноструктур оксида цинка на подложках ниобата лития и на металлических пленках

Анатацыя

The results of the rod nanostructures synthesis and porous zinc oxide films on lithium niobate substrates by hydrothermal method and on the metal films by electrochemical deposition are presented. It was shown that hydrothermal method can be successfully used for formation of the hexagonal rod structures with a diameter up to 100 nm on the single crystal substrates. Electrochemical synthesis method is promising for formation of zinc oxide rod structures with a diameter up to 1 ^m on gold films and porous films on aluminum conductive layers. It was established that increasing of the solution concentration for the electrochemical synthesis method increases diameter of zinc oxide rod nanostructures. The obtained results can be used to select the optimal process parameters of zinc oxide nanostructures synthesis for subsequent application in micro-, nanoelectronics and photovoltaics

Аб аўтарах

Г. Пашкевич
Научно-исследовательский институт прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Беларусь


А. Орлов
Научно-исследовательский институт прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Беларусь


В. Ульянова
Научно-исследовательский институт прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Беларусь


А. Богдан
Научно-исследовательский институт прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Беларусь


Спіс літаратуры

1. Jagadish C. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Elsevier, Amsterdam, 2006.

2. Ozgur U. et al. // Proc. IEEE 98. 2010. P. 1255-1268.

3. Banerjee D. // Appl. Phys. 2005. Vol. A80. P. 749-752.

4. Park W. I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, N 22. P. 4232-4234.

5. Sun Y. et al. // Chem. Phys. Lett. 2004. Vol. 396, N 1-3. P. 21-26.

6. Zeng H. B. et al. // Sci. Adv. Mater. 2010. Vol. 2, N 3. P. 336-358.

7. Hyunghoon Kim et al. // Electronic Materials Letters. 2009. Vol. 5, N 3. P. 135-138.

8. Bai Shr-Nan // J Mater Sci: Mater Electron. 2011. Vol. 22, N 4. P. 339-344.

9. Jia Guozhi et al. // Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures. 2012. Vol. 7, N 1. P. 261-267.

10. Orlov A. T. et al. // 23rd Intern. Crimean Conf. «Microwave & Telecommunication Technology». 2013. P. 830-832.

11. Orlov A. et al. // Proc. 2013 IEEE XXXIII Intern. Scientific Conf. Electronics and Nanotechnology (ELNANO). 2013. P. 25-27.


##reviewer.review.form##

Праглядаў: 451


Creative Commons License
Кантэнт даступны пад ліцэнзіяй Creative Commons Attribution 3.0 License.


ISSN 1561-8358 (Print)
ISSN 2524-244X (Online)