Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук

Расширенный поиск

Влияние ионизирующего излучения на параметры p-канальных МОП-транзисторов

https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408

Аннотация

Представлены результаты экспериментальных исследований влияния гамма-излучения Со60 на основные параметры кремниевых эпитаксиально-планарных p-канальных МОП-транзисторов при различных электрических режимах. Транзисторы изготовлены по радиационно-стойкой ДМОП-технологии с проектными нормами 1,4 мкм. В результате исследований транзисторов установлено: значения всех основных параметров после дозы облучения D = 106 рад (SiO2) в активных электрических режимах облучения остались в пределах критериев работоспособности; наиболее чувствительным к воздействию дозы облучения гамма-квантами является пороговое напряжение; в пассивном электрическом режиме облучения стойкость транзисторов по всем параметрам соответствует дозе 2,8·106 рад (SiO2). Показано, что разная степень радиационной деградации исследуемых параметров при облучении обусловлена их зависимостью либо от эффектов ионизации в слоях подзатворных и изолирующих диэлектриков, либо от структурных нарушений в объемном кремнии активных областей транзисторов. Высокая радиационная стойкость исследованных р-канальных МОП-транзисторов позволяет рекомендовать их для использования в аппаратуре авиационной и космической техники.

Об авторах

Ю. В. Богатырев
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь

Богатырев Юрий Владимирович – доктор технических наук, главный научный сотрудник лаборатории радиационных воздействий

ул. П. Бровки, 19, 220072, Минск



Д. А. Огородников
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь

Огородников Дмитрий Александрович – младший научный сотрудник лаборатории радиационных воздействий

ул. П. Бровки, 19, 220072, Минск



С. Б. Ластовский
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь

Ластовский Станислав Брониславович – кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией радиационных воздействий

ул. П. Бровки, 19, 220072, Минск



А. В. Кетько
Филиал НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь

Кетько Александр Владимирович – директор

ул. Казинца, 121а, 220108, Минск



М. М. Кречко
Филиал НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь

Кречко Михаил Михайлович – начальник бюро

ул. Казинца, 121а, 220108, Минск



С. В. Шпаковский
Филиал НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь

Шпаковский Сергей Васильевич – начальник отделения

ул. Казинца, 121а, 220108, Минск



П. В. Рубанов
АО «Российские космические системы»
Россия

Рубанов Павел Владимирович – кандидат технических наук, начальник сектора

ул. Авиамоторная, 53, 111250, Москва



Г. А. Протопопов
Филиал АО «Объединенная ракетно-космическая корпорация» – «НИИ космического приборостроения»
Россия

Протопопов Григорий Александрович – кандидат технических наук,

ул. Авиамоторная, 53, 111250, Москва



П. А. Чубунов
Филиал АО «Объединенная ракетно-космическая корпорация» – «НИИ космического приборостроения»
Россия

Чубунов Павел Александрович – начальник НПК НТЦ-1

ул. Авиамоторная, 53, 111250, Москва



Список литературы

1. Белоус, А. И. Космическая электроника / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 732 с.

2. Радиационная стойкость изделий ЭКБ / под ред. А. И. Чумакова. – М.: Нац. исслед. ядер. ун-т «МИФИ», 2015. – 512 с.

3. Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / под ред. Г. Г. Райкунова. – М.: Физматлит, 2013. – 256 с.

4. Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.

5. Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986. – 254 c.

6. Ма, Т. Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Т. Р. Ма, P. V. Dressendorfer. – New York: John Wiley & Sons, 1989. – 587 p. https://doi.org/10.1148/radiology.174.3.886

7. Чумаков, А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы / А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 2004. – 320 с.

8. Claeys, C. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices / С. Claeys, Е. Simoen. – Berlin: Springer, 2002. – 402 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7

9. Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.

10. Baliga, B. J. Silicon RF Power MOSFETS / B. J. Baliga. – N. Y.: World Scientific. 2005. – 302 p.


Рецензия

Просмотров: 358


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8358 (Print)
ISSN 2524-244X (Online)